1 |
C,D |
回路シミュレーション分野 (回路シミュレーションソフトMultiSimの習得) |
事前学修 |
MC2演習室でのMSWindows使用法を再確認すること(1時間) |
事後学修 |
MultiSimの基本的な使い方について復習すること(1時間) |
2 |
C,D |
回路シミュレーション分野 (MultiSimによる各種解析方法の理解と習得、DC解析、AC解析、過渡解析、パラメータスイープ) |
事前学修 |
基礎電気回路、基礎電子回路の講義内容を復習すること(1時間) |
事後学修 |
回路の解析結果とシミュレーション結果とを比較検討(1時間) |
3 |
C,D |
回路シミュレーション分野 (MultiSimによる増幅器回路の設計と解析) |
事前学修 |
CR結合増幅器の直流バイアス点と交流特性の解析(1時間) |
事後学修 |
増幅器解析結果とシミュレーション結果とを比較検討(1時間) |
4 |
C,D |
回路シミュレーション分野 (MultiSimによるオペアンプ回路の解析) |
事前学修 |
オペアンプの電気特性の理解(1時間) |
事後学修 |
オペアンプによる増幅器解析結果とシミュレーション結果とを比較検討(2時間) |
5 |
A,C |
情報(組み込みシステム)分野 (ワンチップマイコン原理・演習) |
事前学修 |
MS-Windows上での基本的な操作方法を復習しておくこと(1時間) |
事後学修 |
CPUとメモリ、周辺機能との連携について復習すること(1時間) |
6 |
B,E |
情報(組み込みシステム)分野 (機械語プログラムによるパルス波形作製、LED表示各種、音発生、 スイッチ入力に対する条件判断からの出力) |
事前学修 |
出題した要求を満たすプログラムを作成しておくこと(1時間) |
事後学修 |
製作プログラム各セクションでの処理動作を考えること(1時間) |
7 |
C,E |
情報(組み込みシステム)分野 (C言語プログラムによるパルス波形作製、LED表示各種、音発生、 スイッチ入力に対する条件判断からの出力) |
事前学修 |
C言語の基礎的な記述法を復習しておくこと(1時間) |
事後学修 |
C言語プログラミング操作方法を復習すること(1時間) |
8 |
B,E |
情報(組み込みシステム)分野 (C言語と機械語プログラムによるLEDのパルス幅制御) (点滅時間と発光強さ) |
事前学修 |
LED発光強さの制御法を予習しておくこと(1時間) |
事後学修 |
作成プログラムの改善について検討すること(2時間) |
9 |
C,F |
半導体デバイス分野 (太陽電池の原理習得とシリコン太陽電池の測定・解析) |
事前学修 |
2年次に習った半導体工学を復習しておくこと(1時間) |
事後学修 |
測定データから変換効率、開放電圧等を求めること(1時間) |
10 |
B,C |
半導体デバイス分野 (pnダイオードの電流-電圧特性、容量-電圧特性の測定・解析) |
事前学修 |
2年次に習ったpnダイオードを復習しておくこと(1時間) |
事後学修 |
ダイオード因子、接合の情報を解析すること(1時間) |
11 |
C,E |
半導体デバイス分野 (色素増感太陽電池の作製、および測定・解析) (標準色素:ハイビスカス) |
事前学修 |
色素増感太陽電池に関して予習すること(1時間) |
事後学修 |
測定データから変換効率、開放電圧等を求めること(1時間) |
12 |
C,F |
半導体デバイス分野 (色素増感太陽電池の作製、および測定・解析) (各自色素持参) |
事前学修 |
ハイビスカスより高効率になると考えられる色素を持参すること。その理由を考えておくこと(1時間) |
事後学修 |
測定データから変換効率、開放電圧等を求めること(2時間) |
13 |
D,I |
レポートの作成 |
事前学修 |
データ整理・資料検索等(3時間) |
事後学修 |
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