| 1 |
A |
・授業内容のガイダンス
・半導体とは:
（1）半導体と原子
（2）自由電子と正孔の働き
（3）真性半導体と不純物半導体
（4）N形半導体とP形半導体 |
事前学修 |
シラバスを読んで、本科目で学ぶ事柄を知る。（2.3時間） |
| 事後学修 |
半導体について整理する。（2.3時間） |
| 2 |
A |
PN接合とダイオードの整流特性：
（1）P形半導体とN形半導体での接合面に発生するエネルギーレベル差とキャリアの移動
（2）PN接合による整流作用（ダイオードの働き） |
事前学修 |
PN接合の下調べをする。（2.3時間） |
| 事後学修 |
ダイオードの使い道を考えてみる。（2.3時間） |
| 3 |
A,C |
ダイオードの電圧・電流特性曲線と負荷線：
（1）負荷線とは
（2）負荷線によるダイオードの動作点の求め方 |
事前学修 |
ダイオードの負荷線の下調べをする。（2.3時間） |
| 事後学修 |
自分で、ダイオードの特性に負荷線を引いてみる。（2.3時間） |
| 4 |
A |
トランジスタの構造とキャリアの動き：
（1）トランジスタの基本構造
（2）トランジスタの増幅の原理 |
事前学修 |
トランジスタの動作を下調べする。（2.3時間） |
| 事後学修 |
トランジスタの増幅の原理を整理しておく。（2.3時間） |
| 5 |
A |
トランジスタの静特性（特性極性）：
（1）VCE-IC特性曲線
（2）IB-IC特性曲線
（3）VBE-IB特性曲線 |
事前学修 |
トランジスタの静特性について下調べをする。（2.3時間） |
| 事後学修 |
これまでの授業内容を整理して次回授業の議論と小テストに備える。（2.3時間） |
| 6 |
I |
学修内容の整理と理解度の確認：
これまでの学修内容を整理し、理解度の確認試験の実施やレポート課題等を課す。 |
事前学修 |
前回までの授業内容を確認と整理をする。（2.3時間） |
| 事後学修 |
理解が不十分と感じた箇所の確認と整理。（2.3時間） |
| 7 |
A |
トランジスタによる増幅の原理：
（1）増幅の原理と分類
（2）トランジスタによる増幅 |
事前学修 |
トランジスタの増幅の原理を下調べする。（2.3時間） |
| 事後学修 |
自分で増幅過程を図に描いてみる。（2.3時間） |
| 8 |
A,C |
トランジスタの基本増幅回路：
（1）基本増幅回路の種類と動作原理
（2）トランジスタの静特性と負荷線により、動作点を決める演習課題に取り組む。 |
事前学修 |
トランジスタの増幅回路の原理を下調べする。（2.3時間） |
| 事後学修 |
演習課題を再度解いて、理解を深める。（2.3時間） |
| 9 |
A,C |
増幅度と利得
（1）対数計算の復習
（2）増幅度や利得に関する演習問題に取り組む |
事前学修 |
対数計算とデシベルについて下調べをする。（2.3時間） |
| 事後学修 |
演習問題を再度解いて、理解を深める。（2.3時間） |
| 10 |
A,C |
トランジスタのｈ-パラメータを用いた等価回路表示：
（1）トランジスタのｈ-パラメータと静特性との関係
（2）トランジスタの等価回路表示 |
事前学修 |
h-パラメータについて下調べをする。（2.3時間） |
| 事後学修 |
演習課題を再度解いて、理解を深める。（2.3時間） |
| 11 |
A,C |
h－パラメータの値を静特性から求める：
（1）トランジスタの等価回路表示
（2）電流増幅率ｈfeの値を求める演習課題に取り組む（小テスト）。 |
事前学修 |
トランジスタのhパラメータと等価回路について下調べをする。（2.3時間） |
| 事後学修 |
演習課題を再度解いて、理解を深める。（2.3時間） |
| 12 |
A,C |
h－パラメータの値を静特性から求める：
（1）ｈoeの値の求め方
（2）ｈieの値の求め方
（3）出力アドミタンスｈoeと、入力抵抗ｈieの値を求める演習課題に取り組む（小テスト）。 |
事前学修 |
トランジスタのhパラメータと等価回路について下調べをする。（2.3時間） |
| 事後学修 |
答え（ノート）を見ないで、自分で増幅率を求める。（2.3時間） |
| 13 |
A,C |
総復習：
これまでの総復習と演習問題に取り組む |
事前学修 |
これまでの授業内容の確認と整理をしておく。（2.3時間） |
| 事後学修 |
演習問題を再び解いて、理解を深める。（2.3時間） |
